在模擬 電源管理芯片 層面，國(guó)產(chǎn)廠商和世界廠商的差距并不明顯，一方面是基于傳統(tǒng)模擬技術(shù)的電源管理產(chǎn)品在設(shè)計(jì)上已沒(méi)有太大難度，另一方面國(guó)內(nèi)企業(yè)在芯片封裝和代工水平也已經(jīng)達(dá)到了電源管理芯片采用的水準(zhǔn)，但也正是由于技術(shù)門(mén)檻不高，國(guó)產(chǎn)模擬電源管理芯片過(guò)早的產(chǎn)能過(guò)剩，價(jià)格戰(zhàn)提前開(kāi)打，大廠心力交瘁，小廠為了生存無(wú)所不用其極，研發(fā)新技術(shù)動(dòng)力明顯不足。
開(kāi)關(guān)電源芯片U6773S 具有節(jié)能環(huán)保特性,而且電磁兼容性較強(qiáng),外圍電路也很簡(jiǎn)單。該芯片的特點(diǎn)是多模式控制，內(nèi)置650V高壓MOSFET，具有六級(jí)能效標(biāo)準(zhǔn)，優(yōu)異的動(dòng)態(tài)響應(yīng)能力，工作穩(wěn)定，無(wú)異音，SR（同步整流）兼容性高，提供了極為的輔助功能，包含輸出欠壓保護(hù)、輸出過(guò)壓鉗位和輸出欠壓提醒等功能。該芯片封裝SOP-8。
開(kāi)關(guān)電源芯片U6773S 內(nèi)置電壓降極低的功率MOSFET以提高電流輸出能力，提升轉(zhuǎn)換效率并降低芯片溫度。開(kāi)關(guān)電源芯片U6773處于開(kāi)關(guān)工作模式，只適用于DCM和QR工作模式的開(kāi)關(guān)電源系統(tǒng)。當(dāng)芯片檢測(cè)VDET-400mV，控制器驅(qū)動(dòng)功率MOSFET開(kāi)啟；當(dāng)芯片檢測(cè)到功率MOSFET流過(guò)的電流降低到閾值-10mV時(shí)，控制器驅(qū)動(dòng)功率MOSFET關(guān)閉。該芯片提供了極為的輔助功能，包含輸出欠壓保護(hù)、輸出過(guò)壓鉗位和輸出欠壓提醒等功能。內(nèi)置高壓?jiǎn)?dòng)電路可支持系統(tǒng)輸出電壓低2V時(shí)，該芯片仍能正常。
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