快充充電器要達(dá)到快充的效果，需要根據(jù)手機(jī)本身的快充協(xié)議選擇符合該手機(jī)快充協(xié)議并且通過認(rèn)證的充電器，最簡(jiǎn)單的方法就是選購官方的原裝充電器。如果選擇第三方的充電器，在符合手機(jī)本身快充協(xié)議以及通過認(rèn)證的前提條件下，建議選擇有保障的芯片品牌，比如深圳銀聯(lián)寶科技的PD快充芯片U6615S！
PD快充芯片U6615S結(jié)合了一個(gè)專用的電流模式PWM帶4A/630V MOSFEET的模式控制器。U6615S低待機(jī)功率、低功耗、低電磁兼容性和低成本，適用于12W范圍內(nèi)的離線反激變換器輸出功率。集成有多種保護(hù)功能：VDD 欠壓保護(hù) (UVLO)、VDD 過壓保護(hù) (OVP)、逐周期限流保護(hù) (OCP)、短路保護(hù) (SLP) 和 VDD箝位等。U6615S輸出規(guī)格為5、9、12-18W，應(yīng)用于PD/QC市場(chǎng)，VDD-40V max18W。
PD快充芯片U6615S采用SOP-8封裝，還可以替代凌拓微的18W非標(biāo)電源方案芯片LT3509，引腳特征如下：
1 腳GND 芯片參考地。
2 腳VDD 芯片供電管腳。
3 腳FB 反饋輸入管腳。閉環(huán)控制時(shí)連接于光電耦合器相連，此腳位電壓決定了PWM驅(qū)動(dòng)信號(hào)的占空比和CS管腳的關(guān)斷電壓。
4 腳CS 電流采樣輸入管腳
5、6、7、8 腳D 內(nèi)置功率 MOSFET 漏極。
PD快充芯片U6615S特征如下：
1、數(shù)字頻率洗牌技術(shù)進(jìn)行改進(jìn)電磁干擾性能
2、固定65k HzPWM開關(guān)頻率
3、低待機(jī)功耗(<75米W@230Vac)
4、軟啟動(dòng)，以減少MOSFET VD S應(yīng)力
5、低啟動(dòng)電流(<10uA@VCC=12V)
6、集成 650V MOSFET
7、±4% 恒流、恒壓精度
8、低待機(jī)功耗(<75米W@230Vac)
9、多模式原邊控制方式
10、工作無異音
11、優(yōu)化的動(dòng)態(tài)響應(yīng)
12、可調(diào)式線損補(bǔ)償
13、集成線電壓和負(fù)載電壓的恒流補(bǔ)償
14、 集成完善的保護(hù)功能：VDD欠壓保護(hù)(UVLO)、VDD過壓保護(hù)(OVP)、逐周期限流保護(hù) (OCP)、短路保護(hù)(SLP)和VDD箝位等。
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