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12V1A電源芯片U6773V提高驅(qū)動(dòng)器性能和可靠性

2024-10-31 14:49:24 

隨著能源危機(jī)和環(huán)境問(wèn)題的日益嚴(yán)重,高效率的電源驅(qū)動(dòng)器越來(lái)越受到重視。采用先進(jìn)的電源轉(zhuǎn)換技術(shù)和優(yōu)化設(shè)計(jì),可以顯著提高電源驅(qū)動(dòng)器的效率,降低能耗。采用好品質(zhì)過(guò)硬、性能良好的電源芯片,更能如虎添翼,提高驅(qū)動(dòng)器性能和可靠性!

12V1A電源芯片U6773V具有節(jié)能環(huán)保特性,而且電磁兼容性較強(qiáng),外圍電路也很簡(jiǎn)單。原邊反饋/內(nèi)置MOSFET內(nèi)置環(huán)路補(bǔ)償,省去額外的補(bǔ)償或?yàn)V波電容提高系統(tǒng)效率優(yōu)化降頻曲線和減小電磁干擾,可實(shí)現(xiàn)輕載無(wú)異音多模(Multi-Mode)控制的高精度原邊反饋控制(PSR)恒流恒壓(CC/CV)控制器。

電源芯片U6773V在輕載情況下,控制器通過(guò)降低開(kāi)關(guān)頻率來(lái)很好的調(diào)節(jié)和提高效率,在空載情況下,滿足待機(jī)功耗在70mW以內(nèi)。當(dāng)輸出短路時(shí),控制器可以使開(kāi)關(guān)頻率箝位在16KHz,能夠提高系統(tǒng)的可靠性。

12V1A電源芯片U6773V內(nèi)置電壓降極低的功率MOSFET以提高電流輸出能力,提升轉(zhuǎn)換效率并降低芯片溫度。處于開(kāi)關(guān)工作模式,只適用于DCMQR工作模式的開(kāi)關(guān)電源系統(tǒng)。當(dāng)芯片檢測(cè)VDET<-400mV,控制器驅(qū)動(dòng)功率MOSFET開(kāi)啟;當(dāng)芯片檢測(cè)到功率MOSFET流過(guò)的電流降低到閾值-10mV時(shí),控制器驅(qū)動(dòng)功率MOSFET關(guān)閉。

電源芯片U6773V采用內(nèi)置MOS SOP-7封裝,管腳名稱為:

1 VCC 輸入芯片電源

2 FB系統(tǒng)反饋管腳。輔助繞組電壓經(jīng)電阻分壓后送至FB管腳,用于CV模式輸出電壓控制及CC模式輸出電流控制

3 CPC 連接到GND的輸出電纜補(bǔ)償

4 CS 電流采樣輸入管腳

5、6 Drain 內(nèi)部功率管的漏極

7 GND P 芯片參考地

深圳銀聯(lián)寶科技推出的12V1A電源芯片U6773V,具有更高的靈活性和可擴(kuò)展性,可以根據(jù)不同的應(yīng)用需求進(jìn)行快速定制和升級(jí)。這將有助于降低研發(fā)成本和縮短產(chǎn)品上市時(shí)間,最大程度的降低項(xiàng)目成本,和實(shí)現(xiàn)利益最大化!

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